SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIZF916DT-T1-GE3

Hersteller:

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8-PowerPair® (6x5)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH DUAL 30V

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchFET® Gen IV
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 40A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIZF916