SIS990DN-T1-GE3
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SIS990DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIS990DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8 Dual

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Series TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIS990