SIS932EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produkt-Nr.:
SIS932EDN-T1-GE3
Hersteller:
Paket:
PowerPAK® 1212-8 Dual
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SIS932 |
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