SIA910EDJ-T1-GE3
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SIA910EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIA910EDJ-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Series TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 7.8W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SIA910