RN1314,LF
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RN1314,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

RN1314,LF

Paket:

USM

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW F 2

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Frequency - Transition 250 MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V
Supplier Device Package USM
Series Automotive, AEC-Q101
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 100 mW
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Package Tape & Reel (TR)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Base Product Number RN1314