RN1101MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
Produkt-Nr.:
RN1101MFV,L3F
Hersteller:
Paket:
VESM
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Supplier Device Package | VESM |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Package / Case | SOT-723 |
| Power - Max | 150 mW |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Base Product Number | RN1101 |
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