PSMN2R9-30MLC,115

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

PSMN2R9-30MLC,115

Hersteller:

Paket:

LFPAK33

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

30 V, 2.95 MILLI OHM LOGIC LEVEL

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 1500

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2419 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36.1 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	91W (Tc)
Package / Case	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	70A (Tc)
Mfr	NXP USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk