BUK624R5-30C,118
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BUK624R5-30C,118

NXP USA Inc.

Produkt-Nr.:

BUK624R5-30C,118

Hersteller:

NXP USA Inc.

Paket:

DPAK

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4707 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Mfr NXP USA Inc.
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk