NVLJWS011N04CLTAG

onsemi

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NVLJWS011N04CLTAG

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6-WDFNW (2.05x2.05)

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T6 40V LL 2X2 WDFNW6

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	550 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	6-WDFNW (2.05x2.05)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	2.4W (Ta), 28W (Tc)
Package / Case	6-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 37A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NVLJWS011