NVF6P02T3G

onsemi

Produkt-Nr.:

NVF6P02T3G

Hersteller:

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SOT-223 (TO-261)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 16 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max)	8.3W (Ta)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	NVF6P02