IRLZ24NSTRLPBF

Infineon Technologies

Produkt-Nr.:

IRLZ24NSTRLPBF

Hersteller:

Paket:

D2PAK

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IRLZ24