IRFH7182TRPBF
Infineon Technologies
Produkt-Nr.:
IRFH7182TRPBF
Hersteller:
Paket:
8-PQFN (5x6)
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 23A/157A 8PQFN
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3120 pF @ 50 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | FASTIRFET™, HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 195W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 157A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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