IRF710
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IRF710

Harris Corporation

Produkt-Nr.:

IRF710

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

TO-220AB

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 135 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Series -
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Mfr Harris Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk
Base Product Number IRF710