IRF244
Harris Corporation
Produkt-Nr.:
IRF244
Hersteller:
Paket:
TO-3
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
N-CHANNEL POWER MOSFET
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Mfr | Harris Corporation |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Bulk |
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