IRF6621TR1
Infineon Technologies
Produkt-Nr.:
IRF6621TR1
Hersteller:
Paket:
DIRECTFET™ SQ
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Series | HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SQ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 55A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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