GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
Produkt-Nr.:
GA20JT12-263
Hersteller:
Paket:
TO-263-7
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : Bitte Anfrage
Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091 pF @ 800 V |
| FET Type | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Vgs (Max) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Package | Tube |
| Base Product Number | GA20JT12 |
Empfohlene Teile
GA20JT12-263 Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2024-10-24 2
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 2
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 4
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 2
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号