2N7636-GA
GeneSiC Semiconductor
Produkt-Nr.:
2N7636-GA
Hersteller:
Paket:
TO-276
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
TRANS SJT 650V 4A TO276
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324 pF @ 35 V |
| FET Type | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415mOhm @ 4A |
| Supplier Device Package | TO-276 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Package / Case | TO-276AA |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (165°C) |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Vgs (Max) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Package | Bulk |
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