GA06JT12-247
GeneSiC Semiconductor
Produkt-Nr.:
GA06JT12-247
Hersteller:
Paket:
TO-247AB
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 6A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) (90°C) |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Vgs (Max) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Package | Tube |
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