FQPF19N10

onsemi

Produkt-Nr.:

FQPF19N10

Hersteller:

Paket:

TO-220F-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package	TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.6A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FQPF19