FQB30N06LTM

onsemi

Produkt-Nr.:

FQB30N06LTM

Hersteller:

Paket:

D²PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1040 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	3.75W (Ta), 79W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	32A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FQB30N06