FDC637BNZ
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FDC637BNZ

onsemi

Produkt-Nr.:

FDC637BNZ

Hersteller:

onsemi

Paket:

SuperSOT™-6

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 895 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number FDC637