FCPF190N65S3R0L

onsemi

Produkt-Nr.:

FCPF190N65S3R0L

Hersteller:

Paket:

TO-220F-3

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 400 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.7mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	SuperFET® III
Power Dissipation (Max)	144W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FCPF190