BUZ32 H
Infineon Technologies
Produkt-Nr.:
BUZ32 H
Hersteller:
Paket:
PG-TO220-3
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Series | SIPMOS® |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tube |
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