XP3NA7R2MT
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XP3NA7R2MT

XSemi Corporation

Produit non:

XP3NA7R2MT

Forfait:

PMPAK® 5 x 6

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

MOSFET P-CH -30V -13.3A SO-8

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.4 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series XP3NA7R2
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Package / Case 8-PowerLDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Mfr XSemi Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)