XP10TN135H
detaildesc

XP10TN135H

XSemi Corporation

Produit non:

XP10TN135H

Forfait:

TO-252

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 928 pF @ 50 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.6 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series XP10TN135
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 20.8W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Tc)
Mfr XSemi Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)