TPH3205WSB
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TPH3205WSB

Transphorm

Produit non:

TPH3205WSB

Fabricant:

Transphorm

Forfait:

TO-247-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

Quantité:

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 400 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 8 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 8V
Supplier Device Package TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 700µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Mfr Transphorm
Vgs (Max) ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube