TN0110N3-G
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TN0110N3-G

Microchip Technology

Produit non:

TN0110N3-G

Forfait:

TO-92-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Tj)
Mfr Microchip Technology
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bag
Base Product Number TN0110