SDS065J006S3
detaildesc

SDS065J006S3

Sanan Semiconductor

Produit non:

SDS065J006S3

Forfait:

4-DFN (8x8)

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

DIODE 650V-6A DFN88

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 310pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package 4-DFN (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr 18 µA @ 650 V
Series -
Package / Case 4-PowerVSFN
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 6 A
Mfr Sanan Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 23A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C