SDS065J010E3
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SDS065J010E3

Sanan Semiconductor

Produit non:

SDS065J010E3

Forfait:

TO-263-2L

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

DIODE 650V-10A TO263-2L

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 556pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package TO-263-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr 30 µA @ 650 V
Series -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 10 A
Mfr Sanan Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tube
Current - Average Rectified (Io) 30A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C