PSMN8R040PS127
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PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

Produit non:

PSMN8R040PS127

Fabricant:

NXP USA Inc.

Forfait:

TO-220AB

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1262 pF @ 12 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series -
Power Dissipation (Max) 86W (Ta)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Ta)
Mfr NXP USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Package Bulk