BUK724R5-30C118

NXP USA Inc.

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BUK724R5-30C118

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DPAK

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3760 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	157W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Mfr	NXP USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk