PSMN012-25YLC,115
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PSMN012-25YLC,115

NXP USA Inc.

Produit non:

PSMN012-25YLC,115

Fabricant:

NXP USA Inc.

Forfait:

LFPAK56, Power-SO8

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK56

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 12 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.6mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Series -
Power Dissipation (Max) 26W (Tc)
Package / Case SC-100, SOT-669
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Mfr NXP USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PSMN0