PHK4NQ20T,518
NXP USA Inc.
Produit non:
PHK4NQ20T,518
Fabricant:
Forfait:
8-SO
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 200V 4A 8SO
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Series | TrenchMOS™ |
| Power Dissipation (Max) | 6.25W (Tc) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Mfr | NXP USA Inc. |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | PHK4N |
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