MSCSM170AM039CD3AG
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MSCSM170AM039CD3AG

Microchip Technology

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MSCSM170AM039CD3AG

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Fiche technique:

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Description:

PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N Channel (Phase Leg)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 29700pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1602nC @ 20V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 270A, 20V
Supplier Device Package -
Vgs(th) (Max) @ Id 3.3V @ 22.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
Series -
Package / Case Module
Technology Silicon Carbide (SiC)
Power - Max 2.4kW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 523A (Tc)
Mfr Microchip Technology
Package Bulk
Base Product Number MSCSM170