APTM120H29FG
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APTM120H29FG

Microchip Technology

Produit non:

APTM120H29FG

Forfait:

SP6

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 4 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Series POWER MOS 7®
Package / Case SP6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 780W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A
Mfr Microchip Technology
Package Bulk
Base Product Number APTM120