MSCSM120AM027CD3AG
Microchip Technology
Produit non:
MSCSM120AM027CD3AG
Fabricant:
Forfait:
D3
Lot:
-
Fiche technique:
-
Description:
PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3
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En stock : 1
Minimum: 1 Multiples: 1
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N Channel (Phase Leg) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27000pF @1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2088nC @ 20V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 360A, 20V |
| Supplier Device Package | D3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 9mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Series | - |
| Package / Case | Module |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 2.97kW (Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 733A (Tc) |
| Mfr | Microchip Technology |
| Package | Box |
| Base Product Number | MSCSM120 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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