MSCSM120AM027CD3AG
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MSCSM120AM027CD3AG

Microchip Technology

Produit non:

MSCSM120AM027CD3AG

Forfait:

D3

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N Channel (Phase Leg)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27000pF @1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2088nC @ 20V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 360A, 20V
Supplier Device Package D3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 9mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Series -
Package / Case Module
Technology Silicon Carbide (SiC)
Power - Max 2.97kW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 733A (Tc)
Mfr Microchip Technology
Package Box
Base Product Number MSCSM120