IRFF9130
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IRFF9130

Harris Corporation

Produit non:

IRFF9130

Forfait:

TO-205AF (TO-39)

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

6.5A, 100V, 0.3OHM, P-CHANNEL MO

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series -
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case TO-205AF Metal Can
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Mfr Harris Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk