BUK961R7-40E,118
detaildesc

BUK961R7-40E,118

NXP USA Inc.

Produit non:

BUK961R7-40E,118

Fabricant:

NXP USA Inc.

Forfait:

D2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15010 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105.4 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 324W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Mfr NXP USA Inc.
Vgs (Max) ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number BUK96