BUK7E3R5-60E,127

NXP USA Inc.

Produit non:

BUK7E3R5-60E,127

Fabricant:

Forfait:

I2PAK

Lot:

Fiche technique:

Description:

TRANSISTOR >30MHZ

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : 710

Minimum: 1 Multiples: 1

Qté

Prix unitaire

Prix Ext

Pas le prix que vous voulez? Envoyez RFQ maintenant et nous vous contacterons dès que possible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8920 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Power Dissipation (Max)	293W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Mfr	NXP USA Inc.
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk