APTM50DAM35TG
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APTM50DAM35TG

Microsemi Corporation

Produit non:

APTM50DAM35TG

Forfait:

SP4

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 500V 99A SP4

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V
Supplier Device Package SP4
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Series -
Power Dissipation (Max) 781W (Tc)
Package / Case SP4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 99A (Tc)
Mfr Microsemi Corporation
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk