JANTXV2N6766
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JANTXV2N6766

Microsemi Corporation

Produit non:

JANTXV2N6766

Forfait:

TO-3

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

MOSFET N-CH 200V 30A TO3

Quantité:

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Series Military, MIL-PRF-19500/543
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-204AE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Mfr Microsemi Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Bulk