SSM6K513NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

SSM6K513NU,LF

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6-UDFNB (2x2)

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Descripción:

MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB

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Operating Temperature	150°C (TA)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1130 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	U-MOSIX-H
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6K513