IPB03N03LB G

Infineon Technologies

Producto No:

IPB03N03LB G

Fabricante:

Paquete:

PG-TO263-3

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 792

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7624 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB03N