BSC152N10NSFG

Infineon Technologies

Producto No:

BSC152N10NSFG

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PG-TDSON-8

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Descripción:

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.2mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 72µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	OptiMOS™2
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.4A (Ta), 63A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk