IPA65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

Producto No:

IPA65R660CFDXKSA1

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-3-111

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	615 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660mOhm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-3-111
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	27.8W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPA65R660