EPC2203

EPC

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EPC2203

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Die

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GANFET N-CH 80V 1.7A DIE

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	88 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.83 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 1A, 5V
Supplier Device Package	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 600µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	Automotive, AEC-Q101, eGaN®
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	Die
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.7A (Ta)
Mfr	EPC
Vgs (Max)	+5.75V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)