BUZ31HXKSA1
Infineon Technologies
Producto No:
BUZ31HXKSA1
Fabricante:
Paquete:
PG-TO220-3
Lote:
-
Ficha de datos:
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Cantidad:
Entrega:
Pago:
En stock : Por favor investigación
Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.
Información del producto
Parámetro Info
Guía del usuario
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1120 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 9A, 5V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Series | SIPMOS® |
| Power Dissipation (Max) | 95W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.5A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Package | Tube |
Piezas recomendadas
2000+Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000Unidad de producto estándar
2800+Fabricantes mundiales
15,000 ㎡Almacén en stock
Enlaces rápidos
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号