AUIRF9Z34N

Infineon Technologies

Producto No:

AUIRF9Z34N

Fabricante:

Paquete:

TO-220AB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Power Dissipation (Max)	68W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube