ZXMN6A08E6TA

Diodes Incorporated

Produkt-Nr.:

ZXMN6A08E6TA

Hersteller:

Paket:

SOT-26

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	459 pF @ 40 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4.8A, 10V
Supplier Device Package	SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)
Package / Case	SOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Ta)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	ZXMN6