US1J-E3/5AT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Produkt-Nr.:

US1J-E3/5AT

Hersteller:

Paket:

DO-214AC (SMA)

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Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75 ns
Capacitance @ Vr, F	10pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	DO-214AC (SMA)
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Series	-
Package / Case	DO-214AC, SMA
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 1 A
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io)	1A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Base Product Number	US1